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濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光 放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下，對(duì)陰極靶 材表面進(jìn)行轟擊，把靶材表面的分子、原子、離子 及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定 的動(dòng)能，沿一定的方向射向基體表面，在基體表 面形成鍍層。

濺射鍍膜最初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺 射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡單，但是直流二極濺射沉 積速率低；為了保持自持放電，不能在低氣壓 （＜0.1 Pa）下進(jìn)行；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限 制了其應(yīng)用。在直流二極濺射裝置中增加一個(gè) 熱陰極和輔助陽極，就構(gòu)成直流三極濺射。增加 的熱陰極和輔助陽極產(chǎn)生的熱電子增強(qiáng)了濺射 氣體原子的電離，這樣使濺射即使在低氣壓下 也能進(jìn)行;另外，還可降低濺射電壓，使濺射在低 氣壓，低電壓狀態(tài)下進(jìn)行;同時(shí)放電電流也增大， 并可獨(dú)立控制，不受電壓影響。在熱陰極的前面 增加一個(gè)電極（柵網(wǎng)狀），構(gòu)成四極濺射裝置，可 使放電趨于穩(wěn)定。但是這些裝置難以獲得濃度較 高的等離子體區(qū)，沉積速度較低，因而未獲得廣 泛的工業(yè)應(yīng)用。

磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來，在 靶材表面建立與電場正交磁場，解決了二極濺射 沉積速率低，等離子體離化率低等問題，成為目 前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜 技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣， 幾乎所有金屬，合金和陶瓷材料都可以制成靶 材；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金；在濺射的放電氣氛中加入 氧、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與 氣體分子的化合物薄膜；通過精確地控制濺射鍍 膜過程，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過離 子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài)， 濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多 靶布置設(shè)計(jì)；濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性 好等特點(diǎn)，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近 年來磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快，具有代表性的方法 有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈 沖磁控濺射、高速濺射等。